Flash存储器， 作为一种非容易失性存储器，凭借其读写速度迅速、体积细小、耐用、矮小功耗、抗震抗压等优势，在数字相机、存储卡、闪存盘、移动设备等场合得到了广泛应用。

在用Flash存储器时 需要注意以下几点：

1. Flash存储器存在擦除不完整现象，兴许弄得错误那个。由于被误写和未写的有些，Flash存储器的错误率会有巨大幅上升，通常在1%以上。

2. Flash存储器拥有有限的再来一次写入次数。常规NAND FLASH存储器差不许多为1万次 而NOR FLASH存储器的再来一次写入次数相对更高大一些，差不许多达到了10万次。所以呢，在用时需要管束再来一次写入次数。

3. Flash存储器分为NOR和NAND两种类型。NOR FLASH适用于存储程序代码， 有些类型支持运行中擦写；而NAND FLASH基本上用于存储一巨大堆数据，适合于数据存储，擦写次数更许多。

接下来本文将探讨Flash存储器的读写原理及次数。

三、 Flash存储器原理

Flash存储器采用固态存储手艺，不需要动态维护电容或磁性材料来保存数据，能够在无电源情况下保留数据。Flash存储器的存储单元是FLASH存储单元， 个个存储单元能存储一位二进制数据，通常将优良几个存储单元组合起来形成一个字节、一个字、或者一组数据块。

NOR FLASH和NAND FLASH是买卖场上两种基本上的非容易失闪存手艺。Intel于1988年先说说开发出NOR FLASH手艺，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着， 1989年，东芝公司发表了NAND FLASH结构，有力调少许些每比特的本钱，更高大的性能，并且像磁盘一样能通过接口轻巧松升级。

四、 Flash存储器读写原理及次数

NOR FLASH采用并行读写方式，可进行有些擦除。在NOR FLASH存储器中， 存储单元和检索引擎是分开的，个个存储单元都能被独立编程，但只能进行一次全片擦除，费用相对较高大。

NAND FLASH存储器改进了NOR存储器的缺陷， 采用串行方式读写数据，能进行片内全擦除。在NAND FLASH存储器中，检索引擎集成进了存储单元中，每次擦除是按块擦除。

Flash存储器的擦除次数也是有限的。根据NAND FLASH的规格书要求， 擦除次数一般为10000次但对于矮小本钱NAND FLASH存储器，其擦除次数仅有1000次所以呢需要在用过程中做优良记录和控制。

五、 Flash存储器应用领域

Flash存储器已经成为数字化生活中不可缺少许的关键有些，它以其高大速读写、可靠性以及矮小功耗等优良处，被广泛地应用于移动新闻、存储卡、数码相机等众许多应用领域。

Flash存储器在新潮世间中发挥着至关关键的作用。只是我们在享受其带来的便利的一边，也要注意其用过程中的注意事项，确保数据平安。

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预测：因为手艺的不断进步， Flash存储器的性能将得到进一步提升，应用领域也将不断拓展。欢迎用实际体验验证观点。